1，高集成度:0.35 nm的最小工藝可以做極小的芯片線寬，從而實現更高的集成度，使芯片能夠容納更多的晶體管和電路，提高芯片的性能和功能。
2.低功耗:0.35 nm的最小工藝可以做更小的晶體管，從而降低芯片的功耗，使芯片更節能。