EUV光刻機是半導體制造中的核心設備。它采用極紫外光技術進行微加工，可以實現芯片制造的高精度和高速度。然而，全球EUV光刻機市場已被荷蘭阿斯麥公司壟斷，中國EUV光刻機如何關註。
目前，阿斯麥公司所在的荷蘭政府和美國政府都在嚴格控制EUV光刻機的出口，EUV光刻機是制造芯片的必備設備之壹。中國半導體產業將面臨供應鏈斷裂的風險。
面對這種情況，中國政府出臺了壹系列政策支持國內半導體產業的發展。中國正在積極推進自主創新，加大投入，建設自主可控的芯片生態系統。目前，國內壹些芯片廠商也在積極開發EUV光刻機，以實現國產化。
績效指標:
光刻機的主要性能指標有:支持襯底的尺寸範圍、分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。載物臺和掩膜架根據不同的樣品和掩膜尺寸進行設計。
分辨率是對光刻所能達到的最細線精度的描述。光刻的分辨率受到光源衍射的限制，因此受到光源、光刻系統、光刻膠和工藝的限制。
對準精度是多層曝光期間層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近、投影和直寫。曝光光源的波長分為紫外、深紫外和極紫外區，光源包括汞燈和準分子激光器。
參考以上內容:百度百科-面膜對準器