哈密瓜的種植方法
播期確定
春季大棚哈密瓜最佳播種期為65438+10月下旬至2月上旬。
水道沙龍
沙埂:根據棚寬，挖壹條斜(最好是流水)溝，呈倒三角形，上底寬約30厘米，深約40厘米，距溝底20、25厘米，在鐵網上鋪壹層鐵網(網孔大小以不漏沙為準)。網上的溝壁先鋪壹層油氈和壹層塑料布將其與土隔開，然後填沙平整地面，壟距65438+。兩年換壹次沙(怕重茬的作物)。
水路:在下側的田埂末端垂直挖壹條排水槽，與各田埂相通。田埂中多余的水和肥料可以排放到這個槽中進行二次利用。水泥用來擦槽防滲，適合流水。地面側建有儲水箱與水槽相通。在田埂的高側設置壹根直徑為1.5或2英寸的主管，主管與水泵連接，末端打結。支管沿直徑為0.5或0.8寸的山脊連接，末端紮有兩個針孔大的孔。為了防止水濺到葉片上，在支管上覆蓋壹層薄膜，用小水泵抽水加壓，半滴半噴方式澆水。
培育壯苗
可采用幹燥處理，幹燥後的種子在60 ~ 69℃的恒溫幹燥箱中烘烤3天左右，消毒滅菌效果好。如果沒有這種條件，種子可以在強光下曬2天。
播種時，壹是缽面要平整，秧苗要排列緊密；二是苗床在水下浸潤後要充分澆水播種；第三種是壹碗籽，籽是扁的；三、覆土深度要壹致，厚度在1cm左右，播種後要輕輕壓實。
田間種植
選擇田地:哈密瓜應種植無瓜茬、連作的田地，選擇3年未種植、位於高爽、排水良好的有稻茬的田地。有機質豐富、透氣性好的沙土是種植哈密瓜的首選。
底肥充足:種植前壹個月要進行翻耕，翻耕深度25 ~ 30cm。同時要開配套的溝系(大明溝、作業溝、棚外圍溝)，壹次性給全耕層施足基肥。壹般約1000 50k g商品有機肥和硫酸鉀三元復合肥(n∶p∶k = 15∶1)
畦耕整地:進行畦耕時，壹定要高，起壟。壹般四邊采用立耕，兩邊采用爬地栽培。邊框要做成龜背的形狀，用塑料薄膜全覆蓋(春天用透明塑料薄膜)，有利於保濕、減濕、防草。
棚架覆蓋:15 ~種植前20天，要搭好大棚，覆蓋塑料薄膜，提高地溫和大棚內溫度，達到預熱瓜路的目的。
種植時期:種植要根據苗齡和葉齡，春季苗齡在30天左右。壹般在2月下旬到3月中旬。
種植密度
地面攀援栽培:株距45cm左右，每棚2床，每畝種植500株左右。
棚架栽培:株距40cm左右，每棚4 ~ 5床，每畝種植1100株左右。
種植行壹般在邊框中間。種植時應選擇天氣晴朗，活樹及時澆水，可使用70%地松可濕性粉劑等藥劑防病。
春季采用多層膜覆蓋保溫時，要特別註意減濕防病。盡量營造強光環境，晴天保溫條件下經常揭膜降低濕度，座果前保持溫室白天28 ~ 30℃，夜間不低於10℃；當瓜蔓長到座果節時，適當降低溫度，促進座果；果實膨大期應增加晝夜溫差，以利於果實營養物質的轉化和積累，促進果實膨大，提高品質。
根據植物生長情況，可在活樹後噴施植物營養液，促進樹木生長，如給予保康液肥。果實膨大期追肥1 ~ 2次，可在距根部30cm的穴施，配合葉面噴施磷酸二氫鉀，每畝施用復合肥10 ~ 15 kg。甜瓜成熟前15天停止澆肥水，防止裂果。
苗床管理
春季強調保溫防病，苗床覆蓋多層膜，地面鋪設電熱線。
溫度管理:采用“兩高兩低”的方法進行變溫管理，即出苗前，苗床溫度白天保持在30 ~ 32℃，夜間保持在18 ~ 20℃，促進出苗；在第壹片真葉展開前，白天適當降低床溫至25 ~ 28℃，夜間降至15 ~ 16℃，防止高苗；當第三片真葉出現時，應適當提高床溫，白天保持在30 ~ 32℃之間，夜間保持在18 ~ 20℃之間，促進真葉早日出現；播種前壹周，幼苗經過低溫鍛煉，逐漸適應田間環境條件。
水管理
苗期應嚴格控制水分，晴天中午前根據苗床缽的幹濕程度澆適量水。澆水後，待植物表面和土壤表面的水分蒸發，水漬幹燥後，覆蓋塑料薄膜。
濕度照明
通風降濕是預防苗木病害的關鍵。因此，在充分播種後，在床溫允許的範圍內，應盡可能揭開小棚內的塑料薄膜，以增加通風，降低苗床的空氣濕度。陰雨天氣，中午前後要進行短時通風，降低濕度，增加光照。
育苗時可噴施25%阿米西SC壹次，預防病害，提高抗性。
減少
哈密瓜生產中常用的修剪方法主要有單蔓修剪和雙蔓修剪。
單藤修剪
即主蔓後期去芯(27 ~ 30片葉去芯)，去掉主蔓基部的側芽。春季選擇12 ~ 15節藤蔓留瓜，雌花後留2片葉子進行早期打頂。
雙藤修剪
即當幼苗長到3 ~ 4片真葉時，摘心，選擇留下兩根粗壯的藤蔓，其他的全部去掉。春季選擇孫滿柳甜瓜11 ~ 13節，雌花後留2片葉進行早期打頂。
哈密瓜壹般采用人工授粉，應在春季上午7 ~ 10進行。選擇同壹品種、不同植株的雄花，掰下花瓣，將雄蕊均勻、輕抹在雌花柱頭上。
當果實長到壹個雞蛋大小時，根據每個果實的生長發育情況，綜合判斷選擇其中壹個正確健壯的幼瓜，去掉其余的，壹般在28 ~ 30節打頂。壹般單藤留壹瓜，雙藤留兩瓜。