之前，SMIC副總統在喜馬拉雅的壹個音頻節目中曾經回答過這個問題，說1nm的光刻機工藝並不是技術上無法逾越的門檻。只是目前用投影或者浸沒技術還是很難做到1nm工藝，但實際上國際上的直寫技術已經可以做到1nm了，但是采用直寫技術的矽片沒有商業價值，只能用來做掩模板，所以3nm不是極限，那麽光刻機的極限在哪裏呢？然後往下看。
掩模對準器的極限
事實上，掩模對準器的極限正在逼近，因為矽的極限大約是1 nm。要想超過1nm，就得換材料。但是沒有比矽更合適的材料了，所以最近十年很難超越1nm工藝，除非科學家能找到新的材料。當然，這個可能很小。
很難超越1nm，那麽達到1nm怎麽樣？目前要想達到1nm，目前芯片內部線寬窄到3nm，電路中用於導通的銅線間距過小就會發生短路，很難達到1nm，只能寄希望於量子技術的突破。
荷蘭阿斯麥(阿斯麥)公司的現狀
在EUV光刻機方面，荷蘭公司阿斯麥(阿斯麥)壟斷了目前的EUV光刻機，去年出貨26臺，創下新紀錄。據悉，阿斯麥正在研發新壹代EUV光刻機，預計2022年開始出貨。
根據阿斯麥之前的報告，預計2020年將交付35臺EUV光刻機，2021年將交付45至50臺EUV，約為2019年的兩倍。目前阿斯麥在光刻機方面出貨的主要產品有NXE:3400B和改進的NXE:3400C，基本結構相同，但NXE:3400C采用模塊化設計，維護更方便，平均維護時間將從48小時縮短到8-10小時，支持7nm和5nm。
荷蘭阿斯麥(阿斯麥)公司的極限
與之前的光刻機相比，阿斯麥新壹代光刻機的分辨率將提高70%左右，可以進壹步提高光刻機的精度。畢竟阿斯麥之前的目標是瞄準2nm甚至極致的1nm工藝。不過新壹代EUV光刻機還是有點早，至少2022年才會出貨，大規模出貨也要等到2024年甚至2025年。屆時，臺積電、三星等公司可以考慮3nm以下的工藝技術，所以光刻機的精度有望在2022年達到3nm，要達到1nm估計要2030年。
摘要
綜上所述，1nm應該是光刻機精度的極限。預計實現這壹目標大約需要10年。我是小熵。妳有什麽看法？在下方評論區留言吧！歡迎關註，繼續回答妳的問題。
在紫外光譜中。不同的材料有差異。