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1，因為1024K*32位的內存地址個數是1024K，由512行2048列組成，DRAM芯片是按行刷新的，所以刷新地址是9位(因為2的9次方= 512)；壹行有2048列。

2.單元的刷新間隔不能超過8ms，即所有行都要在8ms內刷新(否則電荷會泄漏)。刷新壹行需要壹個刷新周期，所以刷新512行需要512個刷新周期。