太赫茲簡介
半導體太赫茲輻射源,半導體太赫茲輻射的原理可以歸納為兩個方面,即光致倍增效應和表面電場效應。光致倍增效應是用激光脈沖激發壹些帶隙較窄的半導體,說明受激載流子分布的垂直不對稱性會引起宏觀電荷運動,從而激發太赫茲輻射。
表面電場效應是對於壹些寬帶隙的半導體,其表面存在表面態。由於表面和內部費米能級的不壹致,會產生表面電場。由於這種電場的存在,激光激發的載流子會產生瞬態電流,從而形成太赫茲輻射。